收藏本站
NP36P04SDG
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
120
100
80
60
40
20
0
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100 125 150 175 200
0
25
50
75
100 125 150 175 200
-1000
T C - Case Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
T C - Case Temperature - ° C
n)
DS
G
(V
it e
Lim V )
? 1 i
=1
-100
-10
R
(o
S
=
0
d
I D(DC)
DC
I D(pulse)
PW
i 0
0
μ s
-1
T C = 25 ° C
Single Pulse
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
R th(ch-A) = 125 ° C/W i
100
10
1
R th(ch-C) = 2.68 ° C/W i
0.1
Single Pulse
0.01
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet D19074EJ2V0DS
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NP36P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH -60V -36A TO-263
NP40N055MLE-S18-AY MOSFET N-CH 55V 40A TO-220
NP50P04KDG-E1-AY MOSFET P-CH -40V -50A TO-263
NP50P04SDG-E1-AY MOSFET P-CH -40V -50A TO-252
NP50P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 50A TO-263
NP50P06SDG-E1-AY MOSFET P-CH -60V 50A TO-252
NP52N055SUG-E1-AY MOSFET N-CH 55V 52A TO-252
NP52N06SLG-E1-AY MOSFET N-CH 60V 52A T0-252
相关代理商/技术参数
NP36P06KDG 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP36P06KDG-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-263 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP36P06KDG-E2-AY 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP36P06SLG 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
NP36P06SLG-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH -60V -36A TO-252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NP36P06SLG-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP36P06SLG-E2 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP36P06SLG-E2-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: